Ge substraat
Beskriuwing
Ge single crystal is poerbêst semiconductor foar Ynfraread en IC yndustry.
Eigenskippen
| Groei metoade | Czochralski metoade | ||
| Crystal Struktuer | M3 | ||
| Unit Cell Constant | a=5,65754 Å | ||
| Tichte (g/cm3） | 5.323 | ||
| Smeltpunt (℃) | 937.4 | ||
| Gedopte materiaal | Gjin doped | Sb-doopt | In / Ga -doped |
| Type | / | N | P |
| Resistiviteit | ~35Ωcm | 0.05Ωcm | 0.05~0.1Ωcm |
| EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
| Grutte | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, | ||
| 2" x 0.33 mm diameter 2" x 0.43 mm 15 x 15 mm | |||
| Dikte | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Polijsten | Single of dûbele | ||
| Crystal Oriïntaasje | <100>, <110>, <111>, ± 0,5º | ||
| Ra | ≤5Å (5µm × 5µm) | ||
De Ge Substrate Definition
It Ge-substraat ferwiist nei in substraat makke fan elemint germanium (Ge).Germanium is in semiconductor materiaal mei unike elektroanyske eigenskippen dy't meitsje it geskikt foar in ferskaat oan elektroanyske en opto-elektroanyske applikaasjes.
Ge-substraten wurde faak brûkt by it meitsjen fan elektroanyske apparaten, benammen op it mêd fan semiconductor technology.Se wurde brûkt as basismaterialen foar deponearje tinne films en epitaksiale lagen fan oare semiconductors lykas silisium (Si).Ge-substraten kinne wurde brûkt om heterostruktueren en gearstalde semiconductor-lagen te groeien mei spesifike eigenskippen foar tapassingen lykas transistors mei hege snelheid, fotodetektors en sinnesellen.
Germanium wurdt ek brûkt yn fotonika en optoelektronika, wêr't it kin wurde brûkt as substraat foar groeiende ynfraread (IR) detektors en linzen.Ge-substraten hawwe eigenskippen nedich foar ynfrareadapplikaasjes, lykas in breed oerdrachtberik yn 'e mid-ynfrareadregio en treflike meganyske eigenskippen by lege temperatueren.
Ge-substraten hawwe in nau oerienkommende roosterstruktuer oan silisium, wêrtroch't se kompatibel binne foar yntegraasje mei Si-basearre elektroanika.Dizze kompatibiliteit makket it meitsjen fan hybride struktueren en de ûntwikkeling fan avansearre elektroanyske en fotonyske apparaten mooglik.
Gearfetsjend ferwiist in Ge-substraat nei in substraat makke fan germanium, in semiconductormateriaal dat brûkt wurdt yn elektroanyske en optoelektroanyske tapassingen.It tsjinnet as in platfoarm foar de groei fan oare semiconductor materialen, wêrtroch de fabryk fan ferskate apparaten op it mêd fan elektroanika, optoelektronika en fotonika.
